InP具有接近Shockley-Quiesser极限的带隙和与水还原电位良好的导带对齐，是用于光电化学(PEC) HER的理想光阴极材料。

澳大利亚国立大学Siva Karuturi、Parvathala Reddy Narangari等通过一种新型的基于Au自组装纳米点掩模策略以及随后溶解硫的油胺(S-OA)溶液处理，制备出用于高效稳定PEC HER的InP NW。

使用溶解硫的油胺(S-OA)溶液处理时，S原子首先与InP表面上的In或P键合。接下来，额外的S原子进一步侵入In或P的内部键，形成InPS₄。随后，InPS₄溶解在溶液中，呈现新鲜的In原子，其悬空键通过S原子结合立即钝化。

S-OA处理后的InP NWs形成了表面硫化物层，显着提高了在酸性电解质中抗氧化分解的能力，从而获得了优异的PEC稳定性。另外，S-OA处理同时去除表面损伤，提升光阴极的PEC性能。

在AM1.5G照射下，在1 M HCl电解质中，起始电位为0.63 V_RHE时InP NW光电阴上的光电流密度达到33 mA cm^-2，非常接近InP的理论光电流极限~34.5 mA cm^-2。另外，InP NW光电阴极具有出色稳定性以及接近100%的法拉第效率。

Surface-tailored InP nanowires via self-assembled Au nanodots for efficient and stable photoelectrochemical hydrogen evolution. Nano Letters, 2021. DOI:10.1021/acs.nanolett.1c02205