ACS Energy Letters：控制生长+缺陷工程，助力垂直PtSe2纳米片高效电催化HER

二维(2D)PtSe₂化合物具有高催化活性、高电导率和化学稳定性等优点，在能源相关领域备受关注。然而，在传统平面衬底上合成的二维PtSe₂纳米片的活性位点仅限于边缘位点，因此直接合成具有丰富边缘位点的3D垂直1T-PtSe₂纳米片对于提高催化活性具有重要意义。

近日，北京大学张艳锋和中国计量大学李敏杰等通过化学气相沉积策略在纳米多孔金模板(NPG)上直接合成具有丰富边缘位点的三维(3D)垂直1T-PtSe₂纳米片。

由于3D结构诱导的丰富的边缘位点、从NPG电极到1T-PtSe₂的催化活性位点的良好电输运性质以及垂直1T-PtSe₂纳米片的半金属性质，所制备的3D垂直1T-PtSe₂具有优异的HER性能，其在电流密度为10 mA cm^-2下的过电位为200 mV。此外，即使在1000次CV循环后，催化性能轻微衰减，表明催化剂的高稳定性。

更重要的是，研究人员还引入了Ar⁺溅射对垂直1T-PtSe₂纳米片进行了处理，在1T-PtSe₂纳米片表面上产生低价Pt(Pt⁰和Pt²⁺)，激活了原始惰性基面。垂直PtSe₂纳米片构成的框架未被损坏确保了从电极到表面活性位点的的电输运性能；通过温和的Ar⁺溅射引入了大量的硒空位，从而导致电子在缺陷区附近富集，提高了PtSe₂的电导率，从而大大改善了电催化性能。这项工作为通过构建独特的三维结构和基面的工程缺陷来显著提高TMDCs基电催化剂的性能提供了策略。

Controllable Growth and Defect Engineering of Vertical PtSe₂ Nanosheets for Electrocatalytic Hydrogen Evolution. ACS Energy Letters, 2022. DOI: 10.1021/acsenergylett.2c01810

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ACS Energy Letters：控制生长+缺陷工程，助力垂直PtSe2纳米片高效电催化HER

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