高传博&程涛Nature子刊:NiFeB氢氧化物纳米片实现高效OER

本文报道了一种单层NiFeB氢氧化物纳米片,并证明了缺电子硼(B)在促进高氧化态镍(Ni)的形成以提高OER活性方面的功效。

高传博&程涛Nature子刊:NiFeB氢氧化物纳米片实现高效OER

在氢氧化物催化剂中,促进高氧化态过渡金属物种的形成可提高其在析氧反应(OER)中的催化活性,但在目前的合成策略中仍然很难实现。
基于此,西安交通大学高传博教授和苏州大学程涛教授(共同通讯作者)等人报道了一种单层NiFeB氢氧化物纳米片,并证明了缺电子硼(B)在促进高氧化态镍(Ni)的形成以提高OER活性方面的功效。测试结果表明,NiFeB氢氧化物纳米片的OER活性达到100 mA cm-2,过电位为252 mV,优于无B-氢氧化镍纳米片的OER活性(过电位为337 mV)和已报道的大多数Ni基催化剂。
高传博&程涛Nature子刊:NiFeB氢氧化物纳米片实现高效OER
作者利用DFT计算获得原子尺度的见解,以解释B在提高NiFeB氢氧化物纳米片的OER活性方面的作用。根据DFT计算,B的引入降低了OER的能垒。作者考虑了从*H2O到O2的反应路径上有*OH、*O和*OOH中间体的四步反应路径。还计算了两个电位(0和1.23 V)下的自由能,结果表明自由能沿反应坐标的变化趋势相似。在0 V时,NiFe氢氧根形成*O(*OH→*O)为电位决定步骤(PDS),自由能差为1.498 eV。
高传博&程涛Nature子刊:NiFeB氢氧化物纳米片实现高效OER
在引入B后,NiFeB氢氧根上*O的生成能降至1.308 eV,而*OOH(*O→*OOH)的生成能增加到1.455 eV,*OOH形成了PDS,说明了B在提高氢氧根NiFeB催化剂OER活性中的关键作用。DFT计算还表明,在NiFe氢氧根中引入B后,Ni的氧化态升高。引入B后,Ni结合OH的电子局域化增强,为B附近Ni氧化态的增加提供了间接证据。
高传博&程涛Nature子刊:NiFeB氢氧化物纳米片实现高效OER
Promoting nickel oxidation state transitions in single-layer NiFeB hydroxide nanosheets for efficient oxygen evolution. Nat. Commun., 2022, DOI: 10.1038/s41467-022-33846-0.
https://doi.org/10.1038/s41467-022-33846-0.

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