前所未有!内蒙古大学最新Angew.:K-N4单原子催化剂高效ORR 2023年9月17日 上午1:48 • 计算 • 阅读 7 VASP计算11大专题课程:晶体、二维材料、催化、电池、钙钛矿、单原子、吸附、半导体、缺陷计算等! LAMMPS分子动力学入门级教程及Python,MDAnalysis辅助建模、后处理分析。 机器学习这么火,怎么应用到材料/化学领域? 成果简介 目前,单原子催化剂(SAC)的研究主要集中在过渡金属原子作为活性中心。与过渡金属相反,s区主族金属元素(如K和Mg)具有离域s/p能带,可能导致吸附过强(毒害吸附位点)或弱吸附(使吸附剂失活)。因此,s区主族金属元素通常被认为是催化惰性的。 内蒙古大学王勤教授、张江威研究员、赵忠龙副教授,武利民教授等人首次报道了具有K-N4构型的单原子钾催化剂(K-N-C),其在碱性条件下表现出良好的氧还原反应(ORR)活性和稳定性。具体来说,K-N-C的ORR半波电位(E1/2)高达0.908 V,并在10000次循环后E1/2的变化可以忽略不计。此外,K-N-C在锌空气电池中可提供158.1 mW cm-2的功率密度和高达420小时的优异耐用性。 密度泛函理论(DFT)模拟表明,K-N-C具有双功能的活性K和C位点,可以优化ORR反应中间体的自由能,调节反应的速率决定步骤。COHP结果表明,与过渡金属中的d轨道不同,K的s轨道对中间体的吸附起主要作用。该工作对具有高ORR活性的、基于s区的SACs的合理设计和催化机理研究具有重要的指导意义。 相关工作以《S-Block Potassium Single-atom Electrocatalyst with K-N4 Configuration Derived from K+/Polydopamine for Efficient Oxygen Reduction》为题在《Angewandte Chemie International Edition》上发表论文。 图文导读 图1 K-N-C的合成与表征 K-N-C的整个合成路线如图1a所示。首先,以多巴胺为前体,通过氧化聚合得到聚多巴胺微球。在碱性条件下,聚多巴胺具有净负电荷,从而允许吸附阳离子。在此基础上,通过静电相互作用吸附K+离子,进一步热解得到K-N-C,然后用水洗涤以去除可能的杂质。 SEM图像显示,所得PDA的形貌是均匀的球形(图1b)。从TEM图像(图1c)可以看出,在氮气气氛下热解2小时后,得到的K-N-C和N-C纳米球的形貌得到了很好的保存。高分辨率TEM图像显示,K-N-C具有丰富的微孔结构(图1d),这可以通过氮气吸附等温线实验得到证实。 通过AC-HAADF-STEM可以识别出孤立的K单原子(图1e中的亮白点,黄色圆圈突出显示)。这些K原子在电子束照射下相对稳定,表明K原子与N-C基底之间存在强相互作用。图1f显示K-N-C石墨相的(002)面间距为0.42 nm,大于石墨相的(002)面间距(0.34 nm)。层间距的增大有利于暴露更多的活性位点,从而提高电催化活性。HAADF-STEM图像和相应EDX图显示,C、N和K原子均匀分散在N掺杂C纳米球中(图1g)。ICP-OES分析揭示了K-N-C中K含量约为1.16 wt%。 图2 光谱研究 本文利用XPS、EXELFS和XAFS研究了K-N-C中C、N和K原子的结构信息。高分辨C 1s光谱显示催化剂中C以sp2杂化为主(图2a),表明由PDA衍生的氮掺杂碳纳米球具有优越的电子转移能力。在图2b中,高分辨N 1s光谱可分为石墨N(400.9 eV)、吡啶N(399.5 eV)和吡啶N(398.2 eV)。图2c为K-N-C的高分辨K 2p光谱。292.6 eV处的K 2p峰与KN3中的峰相同,这可能证明K-N-C中存在N-K键。 利用球差校正TEM的EXELFS分析进一步确定了K-N-C中N的配位结构。图2d为K-N-C中N元素的电子能量损失谱(EELS)图。N-K边缘在400 eV附近,其EXELFS可以认为从边缘后几十电子伏特延伸到775 eV左右,而在530 eV附近没有出现O-K边缘。小波变换(WT)-EXELFS进一步证实了N-K键的存在(2.68 Å),如图2e所示。 利用XANES和EXAFS进一步研究了K-N-C结构。从图2f中可以看出,K-N-C的近边吸收能与KN3接近,但与K箔有明显差异,说明K-N-C催化剂中K的价态在K(I)附近。EXAFS谱(图2g)显示K-N-C只有一个主峰(≈2.2 Å),属于K-N散射路径。拟合分析表明,中心K原子的N配位数约为4,K-N平均键长为2.90 Å,说明4个N原子与K-N-C中孤立的K原子配位形成K-N4构型。 图3 ORR性能 在0.1 M KOH水溶液中评价了制备的K-N-C对ORR的电催化活性。CV曲线表明,K-N-C催化剂在0.87 V处有一个还原峰。相比之下,N-C电极的还原峰在0.74 V,表明K在促进ORR动力学中起关键作用(图3a)。LSV曲线显示,K-N-C催化剂的ORR活性优于N-C和Pt/C催化剂(图3b)。此外,Tafel斜率进一步评价了K-N-C的ORR活性。在图3c中,K-N-C的斜率为63 mV dec-1,而N-C的斜率为87 mV dec-1,商用Pt/C催化剂的斜率为83 mV dec-1,清楚地表明单原子K修饰催化剂显著增强了ORR动力学。 如图3d所示,K-N-C (E1/2@0.908 V)优于商用Pt/C催化剂(0.884 V)和报道的过渡金属催化剂。RRDE测试结果表明,在ORR过程中,K-N-C遵循四电子转移路径。从图3e中可以看出,K-N-C在10000次循环后E1/2几乎没有变化,这表明催化剂的稳定性很高。图3f显示,K-N-C在在0.7 V下进行20000 s耐久性测试后,电流保持率达到98.5%。商用Pt/C催化剂的电流保留率仅为79.1%,表明K-N-C催化剂稳定性良好。如图3f所示,当向溶液中注入甲醇时,根据计时电流测量,商用Pt/C催化剂的电流密度明显降低。相反,K-N-C对甲醇表现出优异的耐受性。 图4 经过10000次CV循环后,催化剂的结构表征 此外,对经过10000次CV循环测试的催化剂进行结构分析。ICP-OES、HAADF、经像差校正的HAADF-STEM图像、相应的元素映射图和拉曼测试共同显示了K-N-C具有优异稳定性。 图5 理论计算 图5a为ORR反应关键中间体*OOH、*O和*OH在K-N-C上的吸附结构。研究发现*OOH被吸附在K位点,而*O和*OH同时被吸附在K和C位点上。结果表明,单位点和双位点吸附可以协同优化中间体的自由能。具体而言,如图5b所示,与以N或C为活性中心的N-C催化剂相比,K-N-C上*OOH和*OH的自由能显著降低,导致在U=1.23 V的平衡电位下,速率决定步骤(RDS)(O2→*OOH)的能垒很小,仅为0.35 eV。相比之下,由于没有K位点,N-C对*OOH和*OH的吸附较弱,在RDS中表现出更高的能垒(0.59和0.89 eV)。这些结果证明了K在K-N-C催化剂上对碱性ORR活性的显著调节作用,这与实验结果一致。 作者计算了吸附在K-N-C上的*OH的差分电荷密度,以支持K和吸附物之间的相互作用。如图5c所示,*OH和K原子之间存在电荷积累,证实了它们之间的直接相互作用。此外,Bader电荷分析表明,*OH在K-N-C上获得的电子(0.47 e)比在N-C上获得的电子(0.05 e)多,这是*OH在K-N-C催化剂上强吸附的原因,支持了K-N-C催化剂的双位点效应。 为了阐明K-*OH相互作用的性质,作者计算了K-*OH相互作用的COHP。图5d和5e显示,K-N-C在费米能级附近存在K 4s轨道与*OH的成键态,而K 3p-*OH的成键相互作用较弱。研究发现,无论是否吸附中间体,K 4s带对费米能级附近的键态起主要作用。这些结果表明,K的s带对中间体的吸附起主要作用。计算得到*OH中间体吸附前后K-N键的键序分别为0.11和0.13,表明K配位结构不受吸附剂的显著影响。另外,计算出K-O(在*OH中间体中)键的键序为0.12,与K-N键的键序接近,表明中间体可以吸附在K位点上。 文献信息 S-Block Potassium Single-atom Electrocatalyst with K-N4 Configuration Derived from K+/Polydopamine for Efficient Oxygen Reduction,Angewandte Chemie International Edition,2023. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202312409 点击阅读原文,报名培训! 原创文章,作者:计算搬砖工程师,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2023/09/17/7a5715a854/ 赞 (0) 0 生成海报 相关推荐 产量大幅提升!科学家实现二维金属碲化物材料宏量制备 2024年4月9日 【DFT+实验】镁掺杂构筑TM无序提升钠离子电池正极材料结构稳定性 2023年12月22日 【纯计算】Sci. Bull.:氮掺杂氢化镥的主要成分及压力引起的颜色变化 2023年11月27日 【DFT+实验】江南大学刘小浩团队:结构封装双钯位点-“蓄水”膜反应器”助力CO2一步无副反应高效稳定制乙醇 2024年3月15日 “制造业必须筑牢” 2024年3月17日 【纯计算】Nat. Commun.:金属表面碳的动态模拟与生长机制—主动机器学习模型的应用 2024年1月18日