内大/河科大Appl. Catal. B.：控制BiVO4光阳极上的W诱导缺陷，提高太阳能水分解性能和抗光腐蚀性

半导体的抗光腐蚀稳定性已成为光电化学水分解的重要目标之一。

近日，内蒙古大学王蕾教授和苏毅国教授、河南科技大学王赵武讲师（共同通讯作者）等人报道了他们对WO₃/BiVO₄异质结、W掺杂和氧空位形成的三种混合增强策略的研究，以便在制备BiVO₄的过程中结合到这种纳米结构中，从而改善光电化学（PEC）性能。

研究发现，WO₃层不仅促进了电子转移，而且它被用作W掺杂的扩散源，从而在块体材料上产生氧空位（O_v）。

此外，通过引入不同的W掺杂剖面，即底部、中间和顶部，所有电极都表现出光激活特性，光电流得到改善，起始电位出现负偏移。

其中，底部W掺杂使BiVO₄电极上的电荷分离效率得到了最显著的提高，在前、后1个太阳光照射下，在1.23 V_RHE处产生了接近4.4 mA cm^-2的光电流密度。

更重要的是，无助催化剂的W: BiVO₄-O_v光阳极在1.0 V_RHE下的25 h试验中呈现出良好的稳定性。通过实验和理论计算结合，证明了多种协作策略有助于设计高效稳定的太阳能转换光电极。

Tungsten Induced Defects Control on BiVO₄ Photoanodes for Enhanced Solar Water Splitting Performance and Photocorrosion Resistance. Appl. Catal. B Environ., 2021, DOI: 10.1016/j.apcatb.2021.120610.

https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2021.120610.

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内大/河科大Appl. Catal. B.：控制BiVO4光阳极上的W诱导缺陷，提高太阳能水分解性能和抗光腐蚀性

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