在常规(n-i-p)PSC中,钙钛矿太阳能电池(PSC)的能量转换效率(PCE)>25%,但对于倒置(p-i-n)PSC,PCE在22%至23%之间。这种较差性能的起源尚不清楚,但不同的异质连接接触可能是根本原因。非辐射重组发生在与载流子运输层的接触处,因此限制PSC性能的是接触异质结,而不是钙钛矿或输送层本身。在常规PSC中,介孔支架内的钙钛矿在性质上往往比块体钙钛矿更n型,这诱导了一个额外的场,通过在这个接触界面的带状弯曲来促进电子提取。在倒置PSCs中,钙钛矿膜的p型特性与n型电子传输层直接接触,诱导了效率。因此,在倒置PSC中,有必要控制钙钛矿界面的半导体性质。钙钛矿异质结处的接触特性也影响器件稳定性。在接触界面上,钙钛矿成分与弱化学键组装,如离子键、氢键和范德瓦尔斯相互作用。由此产生的钙钛矿界面的柔软性使其容易受到环境空气和水的攻击。钙钛矿成分还会扩散和穿透输送层,降解异质结和输送层,甚至腐蚀电极。许多有机分子可以钝化钙钛矿与次级键的界面,如氢键、配位相互作用或离子键,但这些弱次级键仍然会导致稳定性问题。华东师范大学方俊锋教授课题组在Science上发表文章,Constructing heterojunctions by surface sulfidation for efficient inverted perovskite solar cells,通过界面修饰,实现了倒置PSC的高效率和高稳定性。利用PbS的n型和稳定无机性质,作者提出了一种表面硫化处理(SST),为倒置PSC构建稳定的异质结。硫化过程为:通过自旋涂层吡啶-2-羧基铅(PbPyA2)形成富铅钙钛矿表面,并用六甲基二硅硫烷(TMS)硫化,它可以与固相PbPyA2反应在SST之后,钙钛矿表现出浅的费米能级(变得更n型),这通过带状弯曲在钙钛矿界面上诱导了额外的后表面场。这个场与倒置PSC的内置电位(Vbi)的方向相同。具有SST的PSC的PCE大于24%,开路电压(Voc)高达1.19 V,相当于甲脒(FA)基的钙钛矿系统(带隙为1.55 eV)的低电压损耗(为0.36 V)。Pb-S键比Pb-I键强得多;PbS的溶解度积常数(1.0×10-28的Ksp)比PbI2(7.1×10-9)小19个数量级。S2-阴离子将在钙钛矿界面与铅离子紧密结合,并抑制降解反应。PbS和钙钛矿之间的相似晶体晶格也应稳定FA基钙钛矿的晶体结构。由此产生的SST PSC在85°C老化2200小时后保留了91.8%的初始效率。值得注意的是,操作稳定性也大大提高,在55°±5°C连续照明下1000小时的最大功率点(MPP)跟踪后,保留了>90%的初始PCE。图文详情