在现代X射线自由电子激光器 (XFEL) 中实现的高亮度、低发射度电子束使强大的X射线成像工具成为可能,使分子系统能够在皮秒时间尺度和亚纳米长度尺度上成像。提高XFEL亮度的最有希望的方向之一是开发新型光电阴极材料,目前开发光电阴极材料通常采用基于试错法的迭代方法,成本高昂且低效。在此,美国斯坦福大学Evan R. Antoniuk, Evan J. Reed等人首次对高亮度光电阴极材料进行了数据驱动筛选。通过筛选超过74000种半导体材料,生成了一个庞大的光电阴极数据集,从而对高亮度光电阴极材料的性质提供了具有统计意义的见解。这种筛选产生了多种光电阴极材料,它们的本征发射率比目前使用的光电阴极低4倍。图1. DFT计算光电阴极材料的本征发射率在第二阶段,作者对筛选出的材料再次进行多目标筛选识别,材料的DFT验证证实了88% 的测试材料的预估低固有发射率,突出了筛选预测的稳健性。识别的M2O(M = Na、K、Rb)家族具有与当前最先进的光电阴极材料相当的光电发射特性,此外还具有卓越的空气稳定性。该系列可能代表了第一种内在明亮、可见光的光电阴极材料,这些材料可以抵抗与氧气的反应,允许在干燥的空气环境中运输和储存。图2. 用于识别空气稳定可见光光电阴极材料的筛选工作流程Novel Ultrabright and Air-Stable Photocathodes Discovered from Machine Learning and Density Functional Theory Driven Screening, Advanced Materials 2021. DOI: 10.1002/adma.202104081