徐斌/刘欢NML：MOF衍生的ZnS纳米点/MXene杂化物可提升锂存储性能

ZnS由于具有很高的理论容量且资源丰富而成为有潜力的储锂负极材料；然而，伴随着结构坍塌和低电导率的ZnS的大体积膨胀易导致锂存储过程中严重的容量衰减和较差的倍率性能，阻碍了其应用。

在此，北京化工大学徐斌教授、刘欢等人通过MXene和ZIF-8前驱体之间的配位调制和硫化，制备了具有优异储锂性能的0D-2D ZnS纳米点/Ti₃C₂T_x MXene 纳米片杂化物 (ZnSMX)。ZnS纳米点有利于减少固相中锂的扩散距离并增强电化学动力学，MXene纳米片作为2D基底不仅提供了快速的电子转移途径，而且还可以防止ZnS纳米点的聚集并适应充放电过程中的体积变化。

更重要的是，ZnS纳米点可以通过界面Ti-O-Zn键原位紧紧锁定在2D MXene纳米片的表面，从而有效抑制ZnS纳米点从导电MXene基底上脱离。

图1. 合成ZnS/MXene杂化物的示意图

此外，ZnS-MXene异质界面表现出很强的锂吸附能力和低扩散能垒，这有利于实现优异的电化学性能。受益于这些优势，ZnSMX在30 mA g^-1 下显示出726.8 mAh g^-1的高可逆容量，以及在0.5 A g^-1下循环1000次后的长期循环稳定性，容量为462.8 mAh g^-1且没有明显衰减。

结果表明，优化ZnS纳米点和Ti₃C₂T_x纳米片之间的界面相互作用对于提高锂存储性能起着重要作用。

图2. ZnSMX杂化物的储锂性能

MOF-Derived ZnS Nanodots/Ti₃C₂T_x MXene Hybrids Boosting Superior Lithium Storage Performance, Nano-Micro Letters 2021. DOI: 10.1007/s40820-021-00728-x

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徐斌/刘欢NML：MOF衍生的ZnS纳米点/MXene杂化物可提升锂存储性能

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