纯计算Surf. Interfaces:取代掺杂和双轴应变,调控单层铅烯电子性质和功函数

纯计算Surf. Interfaces:取代掺杂和双轴应变,调控单层铅烯电子性质和功函数

二维材料具有独特的电子和物理性质,使其在纳米电子学和光电子应用中具有巨大潜力。在此,印度理工学院Rakesh Kumar等人使用第一性原理计算研究了二维材料铅烯的电子性质,并研究了元素周期表中13-15族原子的取代掺杂和双轴应变对铅烯电子性质和功函数的影响。

计算方法

基于密度泛函理论(DFT),作者使用维也纳从头算模拟包(VASP)进行电子结构计算,并使用含有Perdew–Burke–Ernzerhof(PBE)泛函的广义梯度近似(GGA)来描述电子关联相互作用。在晶体结构优化过程中,作者将每个原子上力的收敛标准设置为0.0001eV/Å。对于能带结构的计算,作者使用了16 × 16 × 1的 K点网格,并将截止能量设置为150 eV。此外,对于态密度(DOS)的计算,作者使用了20×20×1的稠密K点网格,并且采用20Å的真空层来屏蔽层间相互作用。

结果与讨论
纯计算Surf. Interfaces:取代掺杂和双轴应变,调控单层铅烯电子性质和功函数
图1. 铅烯的模型结构、电荷密度图、能带结构和态密度
如图1a所示,铅烯具有弯曲的六边形晶格结构,相应的晶格常数、屈曲高度和Pb-Pb键长分别为4.928Å、0.920Å和2.990Å。如图1b所示,铅烯具有均匀且连续的电荷密度分布,并且能带结构(图1c)表明铅烯在K点具有零带隙和狄拉克锥。
此外,作者计算了总态密度和部分态密度(TDOS/PDOS)(图1d),其中铅烯的6p轨道在费米能级贡献最大。作者还研究了自旋-轨道耦合(SOC)的影响,并且由于自旋-轨道相互作用产生了0.4 eV的带隙(图1e)。
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图2. B掺杂铅烯的模型结构、电荷密度图、能带结构和态密度
如图2所示,B掺杂铅烯的电荷密度图显示了硼(B)位点周围的电荷积累(图2b)。相对于原始铅烯,费米能级向价带边缘移动(图2c),这表明铅烯为p型掺杂。而与原始铅烯相比,费米能级的DOS增加(图2d)。即B的引入打破了原始铅烯的晶格对称性,并导致K点能带分裂。
此外,作者还进行了自旋极化计算,以研究B掺杂铅烯的磁性行为,而B原子在铅烯中的掺杂不会引起任何磁矩,这表明掺杂的铅烯具有非磁性行为。作者还研究了硼掺杂铅烯中的SOC相互作用,即使在包含SOC之后,它也显示出金属性质(图2e)。
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图3. C掺杂铅烯的模型结构、电荷密度图、能带结构和态密度
C掺杂铅烯的晶体结构和电子能带结构与原始铅烯类似(图3),即C掺杂铅烯的电子能带结构存在狄拉克锥,并且与原始铅烯相比,费米能级进一步向更低的能量移动(图3c)。
此外,与原始铅烯相比,费米能级的DOS略有增加(图3d)。而在包括SOC时的C掺杂铅烯中,作者观察到了0.29eV的带隙(图3e)。
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图4. N掺杂铅烯的模型结构、电荷密度图、能带结构和态密度
图4显示了N掺杂铅烯的能带结构、态密度(DOS)和电荷密度图。与原始铅烯相比,电子能带结构(图4c)显示费米能级向导带边缘移动,这表明其为n型掺杂。
在N掺杂铅烯的情况下,狄拉克锥在K点消失。与原始铅烯相比,费米能级的DOS值增加(图4d)。此外,即使在包含SOC之后,N掺杂铅烯也呈现金属特性(图4e)。
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图5. 硼、碳和氮掺杂铅烯的电子能带结构
对掺杂铅烯施加2%、4%和6%的双轴应变(图5)时,掺杂有第14族原子的铅烯在费米能级态密度(DOS)增加,而掺杂有第13族和第15族原子的铅烯态密度降低。此外,功函数随着拉伸应变的增加而单调增加。
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图6. 硼、碳和氮掺杂铅烯的应变-能量曲线
如图6所示,连续的应变-能量曲线表明施加的应变落在弹性范围内,并且施加双轴应变不会破坏六边形对称性。此外,应力-能量曲线显示出平滑和连续的单调性,并且没有任何不连续性。
总结展望
计算结果表明,取代掺杂和双轴应变可以显著调控单层铅烯的电子性质和功函数。作者通过取代掺杂和双轴应变研究发现,铅烯的功函数在3.80-4.14eV的范围内变化,这种电子性质的可调谐性表明了铅烯在光电器件中极具应用潜力。
文献信息
Prarena Jamwal et.al Tailoring electronic properties and work function of monolayer plumbene by substitutional doping and biaxial strain Surfaces and Interfaces,2023
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103294
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计算内容涉及材料结构、电位、容量、电导率、离子扩散,过渡态+AIMD、吸附、HOMO/LUMO、离子溶剂化配位结构、固态电解质锂离子通道、催化活性能、反应路径计算、OER、HER、ORR、自由能等。
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