颜清宇/陈俊松ACS Nano:In2Se3-CoIn2-CoSe2异质结构中双边界面助力高速可逆钠储存

颜清宇/陈俊松ACS Nano:In2Se3-CoIn2-CoSe2异质结构中双边界面助力高速可逆钠储存
由于高理论容量,金属硒化物被认为是一类有前景的钠离子电池负极材料。然而,其固有的低电导率和离子导电性以及充放电过程中巨大的体积变化导致储钠能力较差,严重阻碍了其实际应用。
新加坡南洋理工大学颜清宇、电子科技大学陈俊松等人通过在铟基金属-有机骨架MIL-68表面上生长钴基沸石咪唑酯骨架ZIF-67,然后原位气相硒化,制备了由In2Se3/CoIn2/CoSe2组成的In2Se3/CoSe2空心纳米棒,以用作钠离子电池负极。
颜清宇/陈俊松ACS Nano:In2Se3-CoIn2-CoSe2异质结构中双边界面助力高速可逆钠储存
由于In2Se3和CoSe2之间存在CoIn2合金相,成功构建了由两个合金/硒化物界面组成的异质结构,与只有两个金属硒化物的单一无CoIn2界面相比,具有协同增强的导电性、Na扩散过程和结构稳定性。
颜清宇/陈俊松ACS Nano:In2Se3-CoIn2-CoSe2异质结构中双边界面助力高速可逆钠储存
图1 制备及表征
正如预期的那样,这种纳米结构在5和10 A g-1下循环2000次后分别可获得 297.5和205.5 mAh g-1的高可逆容量,并且在甚至在20 A g-1下仍具有371.6 mAh g-1的优异倍率性能。
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图2 钠离子电池性能
Bilateral Interfaces in In2Se3-CoIn2-CoSe2 Heterostructures for High-Rate Reversible Sodium Storage. ACS Nano 2021. DOI: 10.1021/acsnano.1c03056

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