【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性

【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性

研究背景
界面稳定性对用于超高温应用的双相Ir/Ir3X材料至关重要。尽管如此,人们对这一性质的认识和理解比较匮乏。近日,西安交通大学李烨飞、王怡然等人通过DFT和AIMD方法计算了界面能和广义层错能(GSFE)曲线,以研究六个Ir/Ir3X界面的热力学和动力学稳定性。
计算方法和模型结构
作者将表面能和界面能分别在0K下用第一性原理和2000K下用AIMD方法计算,考虑到计算成本,作者仅在0K时计算GSFE。在Perdew–Burke–Ernzerhof(PBE)广义梯度近似(GGA)的约束下,作者使用投影增强波(PAW)方法和利用CASTEP进行总能量计算,而离子和电子之间的相互作用用超软赝势来描述。
作者使用截止能量为600 eV的电子波函数的平面波基组,以及利用Monkhorst–Pack方案对第一布里渊区进行数值积分,相应的网格为0.03Å−1。同时,自洽计算的标准被设置为1meV/atom。为了获得有限温度下的表面能和界面能,作者在2000K下对体相、表面和界面结构进行了AIMD模拟,并选择了400 eV的平面波截止能量,以及使晶格以1fs的时间步长弛豫2ps,使其在2000K下的NPT系综下达到平衡。
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图1. 模型结构
作者首先对大块Ir和六种Ir3X合金进行了几何优化,然后将平衡态结构扩展到超胞。作者选择低指数紧密堆积表面(111)来研究表面和界面性质,因为它是FCC(Ir)和L12(Ir3X)材料中的优先解理面。该模型在X轴和Y轴方向上采用周期性边界条件,并且每层中具有八个原子,其中对于Ir表面为八个Ir原子,而对于Ir3X表面为六个Ir原子和2X原子。作者在Z轴方向上插入15Å的真空层,以避免两个自由面之间的相互作用。
此外,作者通过测试确定了平板模型的层数,以确保计算的准确性和效率。对于界面,作者在FCCIr(111)/L12-Ir3X(111)界面中考虑了FCC中空配位界面结构,并且将堆叠序列设置为ABCABCA(Ir侧)|BCABCAB(Ir3X侧)。
作者将晶格常数设为两相的平均值,以避免由两相之间不同的晶格常数引起的应变。图1(a)和(b)是L12-Ir3X和FCC Ir结构,而图1c是用于计算的界面模型,其中虚线表示界面。
结果与讨论
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图2. 表面能
如图2所示,Ir3Zr(111)和Ir3Hf(111)的表面能低于其他Ir3X表面的表面能,表明它们在0K下是最稳定的表面,其次是Ir3Ti(111)表面。此外,Ir3Ta(11 1)在0K和2000K下都具有最高的表面能,这意味着它是最活跃的界面结构。
总体而言,所有Ir3X(111)表面的表面能在温度升高到2000 K后都会降低,这是因为振动的原子越多,在高温下的内聚力结合行为就越弱。
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图3. 界面能
从图3中可以看出,在0 K和2000 K时,Ir/Ir3Ti、Ir/Ir3HF和Ir/Ir3Zr界面比Ir/Ir3V、Ir/Ir3Nb和Ir/Ir3Ta界面更稳定,表明添加IVB合金元素(Ti、HF和Zr)会导致Ir中的界面结构比三种VB元素(V、Nb和Ta)中的界面结构更稳定。
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图4. 差分电荷密度
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图5. 比例关系
为了说明含有IVB和VB元素界面之间的差异,图5中Ti、Hf和Zr元素的界面用蓝色标记,而V、Nb和Ta元素的界面则用红色标记。如图5(a)所示,更活跃的Ir3V(111)、Ir3Nb(111)和Ir3Ta(111)表面并没有形成更稳定的Ir/Ir3X界面。而图5(b)中的Ir/Ir3Ti(Ir/Ir3Hf)界面表现出比Ir/Ir3V(Ir/Ir3Ta)界面更小的晶格失配,并表现出更好的界面稳定性。
这表明,由于相间边界处的晶格畸变导致了界面的不稳定性。然而,并非所有含IVB元素的界面都具有较小的晶格失配,其中Ir/Ir3Zr和Ir/Ir3Nb就是例外。此外,作者还研究了界面电子相互作用因子,该因子表示为当两个表面形成界面时发生的电荷再分配。六个Ir/Ir3X界面的电荷密度差(CDD)如图4所示,粉红色区域表示电荷损失并对应于PTCDD曲线上的正值,而蓝色区域表示电荷损耗并对应于曲线上的负值。电荷再分配的增加伴随着曲线中绝对值的增加。
图4中的CDD和PTCDD曲线表明电荷再分配集中在两个原子层内的界面处。通过比较界面中CDD的等效表面,可以发现含有Ti、V或Zr元素的界面比含有Nb、Hf或Ta元素的界面表现出更多的电荷再分配。
六种Ir/Ir3X结构的界面能作为电荷再分配的函数如图5所示,两者之间存在明显的负相关性。在Ir和Ir3Ta之间的电荷再分配最小的情况下,形成了最不稳定的界面结构。而对于相同周期的元素,与含有V/Nb/Ta元素的界面相比,含有Ti/Hf/Zr元素的界面明显具有更多的电荷再分配,并具有更好的界面稳定性。总体而言,较小的晶格畸变和更多的电荷再分配可以形成更稳定的界面结构,如Ir–Ir3(Ti/Hf/Zr)。
【MS论文精读】DFT+AIMD计算界面能和GSFE曲线,研究界面热力学和动力学稳定性
图6. 层错能量曲线
在图6中,对于每个完美的晶体,当两个界面原子平面彼此滑过时,滑移平面的单位面积能量增加,然后发现峰值位于μ/b≈0.6处,该峰值对应于不稳定的堆垛层错能(γus)。随后,能量降低到与本征堆垛层错能量(γis)相对应的最小值,并且结构达到相对稳定的构型。如图6所示。
对于最有可能的(111)滑移系统,不同界面系统的γus值的降序是Ir/Ir3Ti>Ir/Ir>Ir/Ir3Hf>Ir/Ir3V>Ir/If3Zr>Ir/Ir3Ta>Ir/Il3Nb,及大多数第二相的引入降低了铱基质的GSFE。尽管较低的GSFE值降低了界面的动力学稳定性,但同时也降低了Ir材料中由交叉滑移引起的脆性断裂的概率。
当比较包含相同周期元素的界面时,可以发现界面GSFE值如下:Ir/Ir3Ti>Ir/Ir3V,Ir/Ir3Zr>Ir/Ir3Nb,以及Ir/Ir3Hf>Ir/Il3Ta。这表明VB元素(V、Nb和Ta)的加入提高了Ir基材料的塑性,而IVB元素(Ti、Zr和Hf)的加入改善了界面稳定性。
结论与展望
研究发现,Ir/Ir3Ti在0K和2000K时具有最低的界面能,以及最高的不稳定层错能,表明它是最稳定的界面。此外,含有IVB元素(Ti、Hf和Zr)的界面比含有VB元素(V、Nb和Ta)的界面更稳定。
通过分析表明,Ir/Ir3X的界面能差异有助于界面晶格失配和界面处的电荷再分配,该工作为新型高温双相铱基合金的设计提供了理论指导。
文献信息
Bai Xue et.al A comparative study on the stability of six Ir/Ir3X (X = Ti, V, Zr, Nb, Hf, Ta) interfaces by first-principle and AIMD calculations Applied Surface Science 2023
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157502

原创文章,作者:计算搬砖工程师,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2023/11/05/9b0bd85b77/

(0)

相关推荐