北科大刘永畅&李平Angew：D-MOS2-O正极助力高性能Zn离子储存

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北科大刘永畅&李平Angew：D-MOS2-O正极助力高性能Zn离子储存
基于MOS2的正极的Zn储存行为主要依赖于边缘位点处的离子-（DE）嵌入而是受到无活性基底平面的限制。
近日，北京科技大学刘永畅和李平等人在Angew. Chem. Int. Ed.期刊上发表了题为”Molecular Engineering on MoS2 Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion Storage”的论文。
北科大刘永畅&李平Angew：D-MOS2-O正极助力高性能Zn离子储存
D-MOS2-O的制备过程和晶体结构的示意图
作者提出了在结构缺陷制造和O型掺杂方面的原位分子工程策略实现了高倍率性能。通过Zn2+扩散通过密度泛函理论计算验证。
即使在严重弯曲条件下，采用D-MOS2-O正极的可穿戴准固态可再充电Zn电池稳定地运行，显示出很大的应用前景。
北科大刘永畅&李平Angew：D-MOS2-O正极助力高性能Zn离子储存
D-MOS2-O的电化学性能表征
北科大刘永畅&李平Angew：D-MOS2-O正极助力高性能Zn离子储存
材料的模拟分析
Molecular Engineering on MoS2 Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion Storage（Angew. Chem. Int. Ed. 2021, DOI: 10.1002/anie.202108317）

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