材料领域知名学者，撤回了2篇IF=13的论文，主要原因是结果无法重复！

来源 | iMedicines、材料学网

迄今为止，传统的p型氧化物半导体表现出较差的迁移率和稳定性，这阻碍了所有基于氧化物的逻辑器件的发展。此外，以往对p型氧化物晶体管的研究受到典型平面型结构的限制。

2022年3月7日，韩国成均馆大学宋承贞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在线发表题为“Progressive p-channel vertical transistors fabricated using electrodeposited copper oxide designed with grain boundary tunability”的研究论文，该研究设计的加入Sb元素的Cu2O电沉积方法促进了晶界的垂直排列，并且与垂直场效应晶体管中从源极到漏极的电荷输运方向完全吻合。

但是，在2023年10月18日，该文章被撤回，主要原因是结果无法重复。

另外，2023年4月3日，韩国成均馆大学宋承贞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在线发表题为“Ambipolar operation of progressively designed symmetric bidirectional transistors fabricated using single-channel vertical transistor and electrochemically prepared copper oxide”的研究论文，该研究提出了一种对称双向晶体管(SBT)。该器件在单通道垂直晶体管(V-Tr)的不同偏置方向上同时实现了金属氧化物半导体场效应晶体管和TFT的“强反转”和“积累”机制。但是，在2023年10月18日，该文章被撤回，主要原因是结果无法重复。

英国皇家化学学会(The Royal Society of Chemistry)，经作者同意，出于对可重复性的考虑，在此完全撤回这篇Materials Horizons 。这项研究代表了首次尝试使用电化学方法制造半导体晶体管的氧化物半导体，导致垂直晶体管的生产。与传统的平面晶体管相比，本研究提出了基于垂直制造晶体管的结果。

最近，当我们重复垂直晶体管的制造时，我们无法重现文章中的结果。我们意识到，以前的研究忽略了通过电化学手段产生的半导体层的一些可靠性问题，以及用于制备结果的测量方法的误差。垂直结构在通道配置方面与传统平面结构有很大不同，这就需要对器件的电气特性进行评估和计算时考虑新的因素。

遗憾的是，这方面没有得到充分的考虑，导致对晶体管中最关键的参数——沟道迁移率的高估，这可能导致论文中的错误结果。我们作为这份材料视野通讯的作者，希望撤回这份通讯。

参考消息：

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90059B

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90060F