钙钛矿太阳能电池PSC具有优异的功率转换效率,长载流子扩散距离和低的载流子复合几率,因此人们认为,钙钛矿的晶粒内缺陷在电子方面是良性的,对器件性能几乎没有影响。因此当前提高PSC性能主要集中在钝化异质结界面和钙钛矿晶界处的缺陷方面。然而,人们尚未充分研究晶粒内缺陷的存在和结构,以及它们对PSC性能的影响。为此,武汉理工大学程一兵院士,蒙纳什大学Udo Bach、Joanne Etheridge等改变例如MA1–xFAxPbI3 (x=0–1)中的MA/FA组成,并将晶粒内面缺陷的结构和密度与器件性能进行了比较。研究发现,电荷载流子寿命,开路电压损失,J-V磁滞与{111}c面缺陷 (x=0.5–1)和{112}t孪晶界 (x=0–0.1)有关。当基本没有明显的晶内面缺陷时(x=0.2),得到最佳的器件性能。同样,通过MASCN蒸汽处理FAPbI3(x≈1)降低{111}c面缺陷的密度也提高了性能。该研究结果表明,除了晶界和异质结界面等关键参数之外,控制晶内缺陷为器件优化提供额外的途径。图1 MA1–xFAxPbI3的微观结构表征MAPbI3 (x=0, t=0.957)中存在{112}t的孪晶畴(图1a);在MA0.9FA0.1PbI3 (x=0.1, t=0.965)中,约一半的晶粒具有{112}t孪晶畴(图1c),其宽度与纯MA化合物相似。在MA0.8FA0.2PbI3 (x=0.2, t=0.972)中,晶格为立方相(a=b=c),消除了{112}t孪晶(图1e,f)。增加FA浓度进一步产生了没有{112}t孪晶的立方结构(图1g-l)。当FA含量达到50%或以上(x≥0.5,t≈1-1.036)时,出现了不同类型的孪晶或堆叠层错,在立方晶格内产生{111}c面缺陷。随着FA含量的增加,{111}c堆叠层错的密度也逐渐增加。x=0.5时,并非所有晶粒都含{111}c面缺陷(图1g-h)。x=0.85和1时,所有晶粒中均包含{111}c堆叠层错,在纯FAPbI3中密度最高(图1i-l)。由于孪晶域尺寸较小(图1h, j, l),1/3 111c反射减弱,被{111}c堆叠层错的衍射条纹所掩盖。{111}c孪晶/堆叠层错与六方相的对应关系与粉末XRD(图2b)一致,随着x的增加(当x≥0.5时),与六方相相关的衍射峰变得更强。图2 材料表征和器件特性立方晶格中六方连生的典型方式是{111}c孪晶界,堆积模式由A-B-C-A-B-C(立方{111}c堆积)变为 A-B-A-B (2H六方(0001)堆积)。2H六方MA1–xFAxPbI3相(图3a,b)可以与立方相在孪晶界或堆叠层错处共存,具有图3c(A-B-A薄片)所示的{111}c孪晶界和图3h (A-B-A-B薄片)所示的{111}c堆叠层错。图3 MA1–xFAxPbI3中{111}c孪晶结构示意图当FA含量从0增加到1,PL峰从770.7 nm移动到809.3 nm,带隙仅变化0.08 eV(图2c)。根据TRPL(图2d)结果,在x=0.2时载流子寿命达到最大值,在x=1时,载流子寿命最短(图2e)。同时VOC损失在x=0.2处最小,在x=0.85和1时最大。在同样结构的PSC器件中,FA0.8FA0.2PbI3(x=0.2)迟滞最低,PCE最高;而在高FA含量(x≥0.5)PSC中,迟滞显著增加,PCE较低,FAPbI3性能最差(图2f)。为了研究离子迁移对MA1–xFAxPbI3中磁滞的影响,研究人员测量了MA1–xFAxPbI3薄膜的温度依赖性电导率来确定离子迁移活化能,结果如图4所示。离子迁移活化能为:FAPbI3 (0.222 eV)<MA0.15FA0.85PbI3 (0.296 eV)<MA0.8FA0.2PbI3 (0.446 eV)≈MAPbI3 (0.444 eV)。这表明,{111}c堆叠层错提供了增加迟滞的离子迁移通道,影PCE。相比之下,具有较少点缺陷的{112}t孪晶界与更高的离子迁移量相关,因此{112}t孪晶不提供主要的离子迁移通道。图4 MA1–xFAxPbI3薄膜中的离子迁移活化能相关结果以“The critical role of composition-dependent intragrain planar defects in the performance of MA1–xFAxPbI3 perovskite solar cells”为题发表在Nature Energy上。Li, W., Rothmann, M.U., Zhu, Y. et al. The critical role of composition-dependent intragrain planar defects in the performance of MA1–xFAxPbI3 perovskite solar cells. Nat Energy (2021). https://doi.org/10.1038/s41560-021-00830-9