【纯计算】二维金属有机框架中的磁性实陈数绝缘体

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成果简介

实陈数拓扑态是近年来凝聚态物理学中研究的一个焦点。它们的拓扑分类不同于传统的拓扑材料,具有独特的物理特性,如非常规的体边对应关系、非阿贝尔编织效应等。近期,实陈数绝缘体在一些碳基材料中被提出。这些材料没有磁性且自旋轨道耦合效应可以忽略不计。然而,实陈数绝缘体尚未在时间反演对称性破缺的磁性体系中获得实现。

近日,河北工业大学张小明教授、刘国栋教授研究组与香港大学陈聪博士、山东大学吴维康博士、新加坡科技设计大学杨声远教授研究组展开合作,首次在一系列二维金属有机框架(MOF)材料中实现磁性实陈数绝缘体(MRCI)。

他们以MOF材料Co3(HITP)2为研究原型,该材料已被实验合成且具有面内铁磁性基态。通过第一性原理计算与理论分析,发现Co3(HITP)2具有拓扑非平庸实陈数(由C2zT 对称性保护且在自旋轨道耦合下具有鲁棒性),是一种典型的MRCI。与以往非磁性体系中的实陈数绝缘体不同,他们发现MRCI可以展现出高自旋极化的拓扑角态。此外,在小应变下,Co3(HITP)2 中可以实现丰富拓扑相变:由MRCI相可以转变为平带关联的pseudospin-1相和double Weyl相,为探索多种拓扑量子态相互作用提供了理想的平台。

相关论文以“Magnetic real Chern insulators in 2D metal-organic frameworks”为题发表在Nano Letters

图文导读

从对称性角度讲,在磁性体系中PT对称性不能保护实陈数拓扑相。但对于二维系统,C2zT对称性仍然能保持实陈数条件,因此原则上存在 C2zT 对称下的 MRCI。那么,是否可以在实际二维材料中实现MRCI?该工作以最近合成的二维 MOF材料 Co3(HITP)2作为实现MRCI的实例。图1给出了Co3(HITP)2的晶体结构和可能具备的典型磁结构。单层Co3(HITP)2 的晶体结构中,Co 离子通过 HITP 有机配体连接展现成Kagome晶格形式。晶格的空间群为 P6/mmm(No.191),具有 C2z(以及 P)对称性。通过理论计算发现,该材料具有面内铁磁性基态,与之前的报道一致。值得注意的,这种铁磁性基态使得该体系保留了 C2z T 联合对称性,这对 MRCI 拓扑相的形成至关重要。

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图1.  (a) 单层 Co3(HITP)2 的俯视图和侧视图;(b) 典型的磁构型示意图。其中有面内铁磁两种典型的非共线反铁磁构型(AFM1 和 AFM2)。

铁磁基态下单层 Co3(HITP)2 的电子能带结构如图2所示。可以看出,单层 Co3(HITP)2是一种窄带隙铁磁半导体:其中自旋向上的带隙只有10.4 meV,而自旋向下通道的带隙相对较大,达到 796 meV。从图 2 (c)中的投影态密度(PDOS)可以发现,其低能的能带主要来自 N 和 C 原子轨道的贡献。特别地,通过理论计算发现,其自旋向上的带隙具有非平庸的实陈数νR= 1,而自旋向下的带隙是平庸的(νR=0)。即使考虑自旋轨道耦合,由于Co3(HITP)2具有面内铁磁性基态,对称性 C2z T依然存在,因此该材料是一个在自旋轨道耦合下稳定的MRCI。

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图2. 单层Co3(HITP)2的能带结构,(a)和(b)显示了两个自旋通道;(c)显示了投影态密度。

作为MRCI的典型特征,Co3(HITP)2材料应存在拓扑保护的角态。为证明这一特性,建立了如图 3 (a)所示的六边形盘子模型(保持C2z T对称性)进行计算。该盘子的离散能级如图 3 (c)所示,可以观察到在体带隙中六个零能态的存在。通过检查其波函数的实空间分布,发现这六个态的确局域在盘子的六个角上(见图 3a),证实了这六个零能态为 MRCI 中拓扑保护的角态。这些角态对应地在态密度中展现出峰值(见图3d)。

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图3. (a)Co3(HITP)2盘子的角态(能级中的红点)的空间分布;(b)能级中用蓝色箭头标记的典型体态的分布;(c)显示了六边形圆盘的能级;(d) 盘子上一个角的局部状态密度,尖锐的峰值对应于零能角态。

此外,发现该材料自旋向上的能带对晶格应变较为敏感。如图4所示,在压缩应变下,体系的带隙增大,但仍保持MRCI相(见图4a&d)。如,在6%的压缩应变下MRCI的带隙可增大至182 meV(见图4a)。在拉伸应变作用下,体系的带隙缩小,并在 1%左右的应变时关闭(见图 4b&d)。在此临界点处,B2g 单带与E2u 双带相交,形成pseudospin-1 费米子(见图4b)。进一步增加拉应变,E2uB2g 态发生翻转(见图 4c&d)。根据能态填充特点可知,此时体系形成double Weyl 费米子(图4c)。值得一提的是,与非磁性体系中不同,Co3(HITP)2中的pseudospin-1和double Weyl费米子均为自旋极化的,这在自旋电子学器件中具有潜在的应用前景。

此外,论文中还讨论了体系中的平带可能引发的物理效应,以及提出了其他几种MOF材料具备类似的拓扑能带结构。该工作为在实际材料中研究MRCI中的新物理提供了材料基础。

图4. 单层Co3(HITP)2在 (a) 6%压缩应变、(b) 1%拉伸应变和 (c) 6%拉伸应变下的能带结构;(d) 显示了2D Co3(HITP)2在应变下的相图。纵轴显示了E2u和B2g态的能量变化。

论文信息:

Xiaoming Zhang, Tingli He, Ying Liu, Xuefang Dai, Guodong Liu, Cong Chen, Weikang Wu, Jiaojiao Zhu, and Shengyuan A. Yang. Magnetic Real Chern Insulator in 2D Metal-Organic Frameworks, Nano Letters, 2023.

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