近期,研究团队成功的制备单层以及多层HfTe2薄膜,角分辨光电子能谱测量发现当厚度小于3层时存在金属-绝缘体相变,价带顶在低温下形成了平带并且费米面附近打开能隙,同时在点附近出现了折叠带,这是形成CDW的典型特征。而声子的计算表明单层HfTe2没有结构失稳,通过Raman、X射线衍射测量均没有观察到明显的晶格畸变,这一发现为单层HfTe2中的金属-绝缘体相变为电子性起源提供了强有力的证据。
https://www.nature.com/articles/s41567-023-02349-0
原创文章,作者:计算搬砖工程师,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2024/01/30/13b4df2f5a/