浙大孙文平AFM：富含原子层缺陷的AD-LCO实现快速OER

开发一种可靠的合成策略以同时实现材料的电子结构调制和二维（2D）化具有重要意义，但仍然具有挑战性。

基于此，浙江大学孙文平研究员等人报道了一种简便通用的策略，即通过机械剪切辅助剥离制造具有独特电子结构的缺陷丰富的原子层材料，同时实现了电子结构调制和2D化。

作为概念验证演示，作者成功合成了具有丰富表面缺陷的原子层状LiCoO₂纳米片（AD-LCO），其能够加速析氧反应（OER）动力学，并在电流密度为10和50 mA cm^-2时分别将OER过电位显着降低到184和216 mV。通过X射线吸收光谱表明，AD-LCO具有显着富集的d-带空穴和增强的析氧反应（OER）动力学，导致OER过电位和动力学势垒显着降低。

通过密度泛函理论（DFT）计算表明，Co晶格空位的存在可以优化中间体的吸附动力学，从而降低限速步骤的能垒。重要的是，该方法普遍适用于制备其他超薄缺陷丰富的2D材料，如BN、WS₂和 MoS₂。该研究对合理设计具有丰富表面缺陷的超薄2D材料提供了新的见解。

Enriched d-Band Holes Enabling Fast Oxygen Evolution Kinetics on Atomic-Layered Defect-Rich Lithium Cobalt Oxide Nanosheets. Adv. Funct. Mater., 2022, DOI: 10.1002/adfm.202200663.

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浙大孙文平AFM：富含原子层缺陷的AD-LCO实现快速OER

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