准二维铁磁化合物Fe₃GaTe ₂的物性研究 2024年2月29日 上午9:14 • 计算 • 阅读 9 可解离的准二维铁磁化合物在近年来引起研究人员的广泛关注,其中的代表性进展是单层CrGeTe3和CrI3长程铁磁序的发现,它为研究维度依赖的磁相变和高性能自旋电子器件提供了优良体系。新发现的准二维Fe3GaTe2具有高居里温度(Tc=342 K)和强垂直磁各向异性,Ga/Te原子与Fe原子的反铁磁耦合与强烈偏离巡游Stoner模型等行为表明Fe3GaTe2具有丰富物性和重要研究价值。 近期,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心A02组的博士生陈昭旭在郭建刚研究员指导下,通过标度分析与电磁输运对块材到二维极限下的Fe3GaTe2进行了系统研究。图1(a)给出了Fe3GaTe2的(00l)面衍射峰与晶体结构,其c=1.6112 nm。对单晶减薄后,发现在厚度小于3 nm的样品中,出现了类似金属-半导体转变,10 K以下的电阻可以用Mott变程跃迁拟合,如图1(b)所示。在Deguchi-Takahashi图中,T0代表频率空间中动力学自旋涨落谱的能量宽度,当T0与Tc相近时,局域磁性占据主导。但块材Fe3GaTe2的Tc/T0为0.14,表明其为弱巡游铁磁性,Rhodes-Wohlfarth曲线分析同样支持这一结论,见图1(c)。此外,有效磁矩Peff与自发磁矩Ps的比值与Tc/T0关系可以被Takahashi理论描述,暗示着自旋涨落的存在。标度分析拟合出块材Fe3GaTe2铁磁-顺磁相变的临界指数为β=0.398(3),γ=1.10(1),δ=3.77(6),表明它是首个符合长程交换作用的三维Ising层状铁磁体。图1(d)是169 nm厚度样品的反常霍尔电阻曲线,其中,140-150K的曲线在磁化翻转过程中存在一个电阻跳跃,这与交换相互作用与磁各向异性强度比值的提升相关。 图1 (a) Fe3GaTe2的 (00l) 面衍射峰与晶体结构示意图。(b)不同层数样品的归一化电阻与温度曲线。(c) Deguchi-Takahashi图,蓝色虚线代表Takahashi曲线Peff/Ps=1.4×(Tc/To)-2/3。插图为Rhodes-Wohlfarth图,红色曲线是巡游铁磁体的经验曲线,蓝色虚线代表局域磁性。(d) 169 nm厚Fe3GaTe2的反常霍尔电阻。 图2(a)是温度依赖的块材Fe3GaTe2磁相图,Tc以下存在一个隐藏的磁相变,可能与铁磁、反铁磁相互竞争诱导的三重临界点相关。图2(b)中,Tc随厚度降低而减小,1 nm厚度Fe3GaTe2的Tc为200 K,这是已报道二维极限下铁磁化合物最高的本征Tc。同时,样品厚度的降低导致Tc1持续上升,Tc2基本保持不变。在10 nm左右时,Tc1与Tc2相等,表明矫顽场附近的反磁化形核导致整个样品的磁化翻转。 图2 (a) 基于标度分析得到的Fe3GaTe2 沿c轴的磁相图。(b) 温度-厚度的电子相图。“Full Inverted Magnetization”代表Fe3GaTe2中表现出方形滞的磁相;“Partial Inversion”代表在磁化翻转的过程中表现出突然“跳跃”的相,Tc1与Tc2分别代表磁化翻转过程的转变温度与铁磁顺-磁相变温度。 该工作系统研究了Fe3GaTe2磁相变与温度和样品厚度的依赖关系,确认其为首个具有长程交换作用的三维Ising铁磁体,为二维铁磁半导体的研究提供了参考。以上成果以“High-Tc Ferromagnetic Semiconductor in Thinned 3D Ising Ferromagnetic Metal Fe3GaTe2”为题发表在Nano Lett. 24, 993-1000 (2024),该工作得到了北京自然科学基金(220005)的支持。 原创文章,作者:计算搬砖工程师,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2024/02/29/a945f1e9aa/ 赞 (0) 0 生成海报 相关推荐 【DFT+实验】Nature子刊:提高12倍!Pt/C60加速碱性HER 2024年3月26日 (纯计算)北京理工大学姚裕贵/冯万祥团队Phys. Rev. Lett.: 交错磁体RuO2中的晶体热输运 2024年2月1日 【DFT+实验】上海科技大学林柏霖课题组:卤素修饰的铜基催化剂促进高效电化学还原CO₂产乙醇 2024年1月8日 【纯计算】ACS AMI:亚表面化学提高Pd催化剂上C2H2半加氢催化活性 2024年4月5日 河南大学能源与量子材料课题组: CrSBr 三轴磁各向异性起源与调控 2024年1月24日 【DFT+实验】李轩科/张琴/杨年俊AEM:具有自平衡轨道占据的NiS/NiS2异质结构实现高效全水解 2023年11月16日