【DFT+实验】Angew.:1O2-N/C助力高效ORR 2024年3月24日 下午8:55 • 计算 • 阅读 12 在氮(N)掺杂剂附近定向构建碳缺陷是提高氮掺杂碳对氧还原反应(ORR)电催化活性的一种有趣但具有挑战性的方法。 基于此,中南大学何震教授和刘素琴教授等人报道了一种新的位点特异性蚀刻策略,其特点是将单线态氧(1O2)定向锚定在N相邻原子上,从而在N掺杂碳(1O2-N/C)中定向构建与N掺杂剂相邻的拓扑碳缺陷。1O2-N/C表现出最高的ORR半波电位,为0.915 VRHE。 通过DFT计算,作者研究了1O2-N/C中N-C位点的本征催化活性。作者构造了与七边形相邻的五边形作为拓扑碳缺陷(DC),系统地提出了DC中所有可能发生N-取代的位点,编号从1到10(DC-Nx,x表示对应的数字)。 DC-N6的n掺杂剂为Py-N,其余为G-N。在DC-Nx上*OOH和*OH(ΔG*OOH和ΔG*OH)的吸附能计算值,DC-N6、DC-N9和DC-N10同时具有合适的ΔG*OOH和ΔG*OH,表明这些配置可能具有满意的催化活性。 此外,位于火山图顶部的DC-N6能有效地将*OOH吸附能提升至最佳值,在U=0 VRHE时,其结合能下降幅度(-0.79 eV)大于DC(-0.18 eV)。当施加电压为1.23 V时,可直观地识别电位决定步骤(PDS)。 当Py-N-C和G-N-C位点与拓扑碳缺陷结合时,*OOH的吸附能势垒显著降低,导致ORR的起始电位提高。DFT计算揭示了拓扑碳缺陷中与五边形键合的Py-N可以优化*OOH的吸附能,从而提高N掺杂碳中N-C位点对ORR的本征催化活性。 Singlet Oxygen Induced Site-Specific Etching Boosts Nitrogen-Carbon Sites for High-Efficiency Oxygen Reduction. Angew. Chem. Int. Ed., 2023. 原创文章,作者:计算搬砖工程师,如若转载,请注明来源华算科技,注明出处:https://www.v-suan.com/index.php/2024/03/24/ec565ecc2f/ 赞 (0) 0 生成海报 相关推荐 机器学习:计算电催化的新范式 2024年4月3日 【MS论文解读】章日光/王宝俊:单原子Pt1/Cu催化剂上的C2H2选择性加氢 2023年12月19日 【计算+实验】最新顶刊:陈维,李春忠,吴长征,乔世璋,韩布兴,冯新亮,潘原等成果集锦! 2023年12月28日 《Physical Review Letters》新型高性能压电材料重要进展 2024年2月22日 Nature Catalysis:双原子催化! 2024年4月4日 【纯计算】Inorg. Chem. Front.:二维导电金属-有机框架作为析氧和还原反应的高效电催化剂 2023年11月24日