“天才少年”曹原的导师Pablo Jarillo-Herrero,又又又发Science!

“天才少年”曹原的导师Pablo Jarillo-Herrero,又又又发Science!
第一作者:Kenji Yasuda、Evan Zalys-Geller
通讯作者:Raymond Ashoori、Pablo Jarillo-Herrero、Kenji Yasuda
通讯单位:麻省理工学院(MIT)
“天才少年”曹原的导师Pablo Jarillo-Herrero,又又又发Science!
Pablo Jarillo-Herrero出生于西班牙巴伦西亚,于2008年1月加入麻省理工学院,担任物理学助理教授,并于2018年晋升为正式教授。他的奖项包括Alfred P. Sloan奖学金;David和Lucile Packard奖学金;能源部早期职业奖;总统科学家和工程师早期职业奖;ONR年轻研究者奖;摩尔基金会量子系统研究物理实验奖;以及Oliver E. Buckley凝聚态物理奖。2018年,他当选为美国物理学会会员。2020年,Pablo Jarillo-Herrero因在旋翼学方面的开创性工作而获得沃尔夫奖。
论文速览
低至原子尺度的电压可切换集体电子现象的持续存在,对面积有效和能量有效的电子器件具有广泛的影响,尤其是在新兴的非易失性存储器技术中。本文研究了基于双层氮化硼中滑动铁电性的铁电场效应晶体管(FeFET)在室温下的性能。
滑动铁电体代表了不同形式的原子级薄二维(2D)铁电体,其特征是通过层间滑动运动切换面外极化。采用单层石墨烯作为沟道层的FeFET器件,该器件表现出纳秒级的超快开关速度和超过1011个开关周期的高耐用性,与最先进的FeFET器件相当。这些特征凸显了2D滑动铁电体在激发下一代非易失性存储器技术方面的潜力。
图文导读
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图1:基于滑动铁电体的铁电场效应晶体管的基本特性。
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图2:开关电压的脉宽依赖性。
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图3:滑动铁电体对开关周期的耐受性。
总结及展望
本文讨论了滑动铁电材料在非易失性存储技术中的应用潜力,特别是在超快切换、高耐久性、亚纳米厚度和低电压操作方面的优势。同时指出了实际应用中需要解决的关键挑战,包括晶圆级合成技术和提高开关比。
提出了通过改进器件几何结构来克服这些挑战的方法,并提到了2D基FeFET存储技术正在被半导体代工厂研究。研究预期能够推动基于滑动铁电材料的非易失性存储技术的发展。
文献信息
标题:Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics
期刊:science
DOI:10.1126/science.adp3575

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