基于此,2024年7月30日,清华大学材料学院院长林元华在国际期刊Advanced Functional Materials发表题为《Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement》的研究论文。
图2 熵调制膜的击穿场和漏电流机制分析在这项工作中,作者利用熵策略构建了一种将非晶相嵌入多晶纳米晶中的结构,从而提高了载流子的传输势垒。因此,磁滞损耗在高电场下被极大地抑制,并且高熵膜中的高极化仍然被保持。图3 熵调制膜的能量存储和介电性能因此,在基于高熵Ba2Bi4Ti5O18的弛豫铁电体中,同时实现了139.5 J cm−3的超高能量密度、87.9%的高效率和1153的高品质因数。本工作为先进的高功率储能应用的材料结构设计提供了一条有前途的途径。文献信息:Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement., 2024.